Používáme cookies, abychom Vám umožnili pohodlné prohlížení webu a díky analýze provozu webu neustále zlepšovali jeho funkce, výkon a použitelnost. Více informací zde.
Tranzistor N-MOSFET; unipolární; max. napětí Drain-Source 500V; max. napětí Gate-Source ±30V; max. proud Drainu 20A; max. ztrátový výkon 380W; pouzdro TO3PN; THT montáž do DPS; pracovní teplota -55÷150°C.