Tranzistor G25N120
Kód: 101040104Detailní popis produktu
IGBT G25N120
Tranzistor IGBT (napětím řízený bipolární tranzistor); bipolární; max. napětí Kolektor-Emitor 1200V; max. napětí Gate-Emitor ±20V; max. proud Kolektoru 50A; max. ztrátový výkon 385W; pouzdro TO247; THT montáž do DPS; pracovní teplota -55÷150°C.
Výrobek je dostupný pouze do vyčerpání skladových zásob.
Buďte první, kdo napíše příspěvek k této položce.
Pouze registrovaní uživatelé mohou vkládat články. Prosím přihlaste se nebo registrujte.