Tranzistor G25N120

Kód: 101040104
Výprodej
299 Kč 247,10 Kč bez DPH
Skladem (3)
Můžeme doručit do:
28.1.2021
Tranzistor G25N120 s maximálním napětím 1200V a proudem 50A v pouzdru TO247

Detailní informace

Detailní popis produktu

IGBT G25N120

Tranzistor IGBT (napětím řízený bipolární tranzistor); bipolární; max. napětí Kolektor-Emitor 1200V; max. napětí Gate-Emitor ±20V; max. proud Kolektoru 50A; max. ztrátový výkon 385W; pouzdro TO247; THT montáž do DPS; pracovní teplota -55÷150°C.

Výrobek je dostupný pouze do vyčerpání skladových zásob.

Doplňkové parametry

Kategorie: IGBT tranzistory
Pracovní napětí (V): 1200
Pracovní proud (A): 50
Výkon (W): 385
Pouzdro: TO247
Montáž: THT
max. napětí Gate (V): ±20

Buďte první, kdo napíše příspěvek k této položce.

Pouze registrovaní uživatelé mohou vkládat články. Prosím přihlaste se nebo registrujte.

Nevyplňujte toto pole: