Tranzistor FGA25N120ANTD TO3P

Kód: 101040103
189 Kč / ks 156,20 Kč bez DPH
Skladem u nás (50 ks)
Možnosti doručení

Tranzistor IGBT s napětím do 1200V a proudem do 25A v pouzdru TO3P.

Detailní informace

Detailní popis produktu

ONSEMI FGA25N120ANTDTU

Tranzistor IGBT (napětím řízený bipolární tranzistor); bipolární; max. napětí Kolektor-Emitor 1200V; max. napětí Gate-Emitor ±20V; max. proud Kolektoru 25A; max. ztrátový výkon 125W; pouzdro TO3P; THT montáž do DPS; pracovní teplota -55÷150°C.

Tento tranzistor se často používá v řídících deskách indukčních ohřívačů, např. Professor IV-304.

Doplňkové parametry

Kategorie: IGBT tranzistory
Pracovní napětí (V): 1200
Pracovní proud (A): 25
Výkon (W): 125
Pouzdro: TO3P
Montáž: THT
max. napětí Gate (V): ±20

Buďte první, kdo napíše příspěvek k této položce.

Pouze registrovaní uživatelé mohou vkládat články. Prosím přihlaste se nebo registrujte.

Nevyplňujte toto pole: