Nastavení
Tranzistor N-MOSFET 2SK3567 od výrobce Toshiba s maximálním napětím 600V a proudem 3,5A v pouzdru TO220FP
Tranzistor N-MOSFET s max. napětím 30V a proudem 10A v pouzdru SO8 od výrobce Alpha & Omega
Tranzistor N-MOSFET s max. napětím 30V a proudem 12,7A v pouzdru SO8 od výrobce Alpha & Omega
Tranzistor N-MOSFET s napětím 30V, proudem 6A a výkonem 1,28W v pouzdru TSOP6 od výrobce Alpha & Omega Semiconductor
Tranzistor N-MOSFET s maximálním napětím 40V a proudem 250A v pouzdru D2PAK od výrobce Infineon
Tranzistor PNP s maximálním napětím 65V a proudem 0,1A v pouzdru TO92 od výrobce Diotec Semiconductor
Tranzistor NPN s maximálním napětím 80V a proudem 0,1A v pouzdru SOT23 od výrobce Diotec Semiconductor
Tranzistor NPN s maximálním napětím 65V a proudem 0,1A v pouzdru SOT23 od výrobce Nexperia
Tranzistor NPN Darlington s maximálním napětím 60V a proudem 0,5A v pouzdru SOT23 od výrobce Infineon
Tranzistor darlington PNP s maximálním napětím 100V a proudem 10A v pouzdru TO220 od výrobce STMicroelectronics
Tranzistor BSP125 od výrobce Infineon s maximálním napětím 600V a proudem 0,12A v pouzdru SOT223
Tranzistor N-MOSFET s maximálním napětím 600V a proudem 0,021A v pouzdru SOT23 od výrobce Infineon
Dvojitý tranzistor N-mosfet + P-mosfet s maximálním napětím 12/-12V a proudem 5,6/-3,8A v pouzdru U-DFN2020-6 od výrobce Diodes
Nacházíte se na straně 68 z 128.
