Nastavení
Nová registraceZapomenuté heslo
Tranzistor KSP2222ABU s maximálním napětím 40V a proudem 0,6A v pouzdru TO92 od výrobce ON Semiconductor
Bipolární tranzistor PNP; UCE 120V; IC 30A; výkon 200W; pouzdro TO3.
Tranzistor NTD24N06LG s maximálním napětím 60V a proudem 24A v pouzdru DPAK
Tranzistor PNP s maximálním napětím 80V a proudem 4A v pouzdru TO126
Tranzistor P-mosfet s maximálním napětím 60V a proudem 14A v pouzdru WDFN-8 od výrobce Vishay
Dvojitý tranzistor N-mosfet + P-mosfet s maximálním napětím 20/-20V a proudem 5,3/-4,5A v pouzdru DFN2020-6 od výrobce Nexperia
Tranzistor P-MOSFET s napětím 30V, proudem 29A a výkonem 7,8W v pouzdru SO8 od výrobce Vishay
Tranzistor N-MOSFET s max. napětím 150V a proudem 3,7A v pouzdru SO8 od výrobce Vishay
Tranzistor NPN s maximálním napětím 400V a proudem 8A v pouzdru TO220AB od výrobce STMicroelectronics
Unipolární tranzistor N-MOSFET s max. napětím 650V, proudem 34A a výkonem 40W v pouzdru TO220FP od výrobce STMicroelectronics
Tranzistor IGBT s maximálním napětím 600V a proudem 23A v pouzdru TO220FP od výrobce STMicroelectronics
Tranzistor STP34NM60N s maximálním napětím 600V a proudem 31,5A v pouzdru TO220-3 od výrobce STMicroelectronics
Tranzistor N-MOSFET s maximálním napětím 900V a proudem 3A v pouzdru TO220FP od výrobce STMicroelectronics
Tranzistor N-MOSFET s napětím 55V, proudem 80A a výkonem 300W v pouzdru TO-220-3 od výrobce STMicroelectronics
Tranzistor P-mosfet s maximálním napětím 80V a proudem 50A v pouzdru TO252 od výrobce Vishay
Tranzistor PNP (Darlington) s napětím 100V, proudem 8A a výkonem 70W v pouzdru TO-220 od výrobce STMicroelectronics
Tranzistor TIP3055 od výrobce STMicroelectronics s maximálním napětím 60V a proudem 15A v pouzdru TO247
Nacházíte se na straně 67 z 127.
