Nastavení
Nová registraceZapomenuté heslo
Tranzistor bipolární PNP Uceo/Ic: 60V/1A Pd: 1.3W Pouzdro: SOT89
Tranzistor BD438 s maximálním napětím 45V a proudem 4A v pouzdru TO126
Tranzistor BD442 s maximálním napětím 80V a proudem 4A v pouzdru TO126 od výrobce CDIL
Tranzistor BD652 od výrobce Comset Semiconductors s maximálním napětím 120V a proudem 8A v pouzdru TO220
Tranzistor BD911 od výrobce STMicroelectronics s maximálním napětím 100V a proudem 15A v pouzdru TO220
Tranzistor N-JFET BF256B s maximálním napětím 30V a proudem 0,013A v pouzdru TO92 od výrobce ONSEMI.
Tranzistor BU207 s maximálním napětím 600V a proudem 5A v pouzdru TO3
Tranzistor BU208 s maximálním napětím 700V a proudem 5A v pouzdru TO3
Tranzistor BU508AW od výrobce STMicroelectronics s maximálním napětím 700V a proudem 8A v pouzdru TO247-3
Tranzistor BUV48A s maximálním napětím 1000V a proudem 15A v pouzdru TO247-3 od výrobce STMicroelectronics
Tranzistor v kovovém pouzdře TO-18Napětí / proud: 300 V / 0,2 AVývody: 3, zlacené, THT
Tranzistor N-MOSFET s maximálním napětím 60V a proudem 170A v pouzdru TO263 (D2PAK) od výrobce Texas Instruments
Tranzistor s maximálním napětím 20V a proudem 2x 6,5A v pouzdru SO8 od výrobce ONSEMI.
Tranzistor IGBT s maximálním napětím 1200V a proudem 30A v pouzdru TO247.
Tranzistor IKW15N120H3 od výrobce Infineon s maximálním napětím 1200V a proudem 30A v pouzdru TO247-3
Tranzistor IGBT K40T1202 s maximálním napětím 1200V a proudem 75A v pouzdru TO247-3 od výrobce Infineon
Tranzistor IGBT IKW40N60H3FKSA1 s maximálním napětím 600V a proudem 40A v pouzdru TO247-3 od výrobce Infineon
Nacházíte se na straně 66 z 71.
