Nastavení
Tranzistor IGBT IHW30N160R2 (H30R1602) s maximálním napětím 1600V a proudem 30A v pouzdru TO247-3 od výrobce Infineon
Tranzistor IGBT IKW15N120H3 s maximálním napětím 600V a proudem 40A v pouzdru TO247-3 od výrobce Infineon
Tranzistor N-MOSFET s max. napětím 55V a proudem 100A v pouzdru D2PAK od výrobce Infineon
Tranzistor N-MOSFET IPD031N06L3 s maximálním napětím 60V a proudem 100A v pouzdru DPAK od výrobce Infineon
Tranzistor N-mosfet s maximálním napětím 60V a proudem 84A v pouzdru TO220AB od výrobce Infineon
Tranzistor P-MOSFET IRF5210PBF od výrobce Infineon s maximálním napětím 100V a proudem 40A v pouzdru TO220AB
Tranzistor N-MOSFET s max. napětím 100V a proudem 17A v pouzdru D2PAK od výrobce Infineon
Tranzistor P-MOSFET s maximálním napětím 200V a proudem 4A v pouzdru TO220AB od výrobce Vishay
Tranzistor IRF9640PBF od výrobce Vishay s maximálním napětím 200V a proudem 6,8A v pouzdru TO220AB
Tranzistor P-mosfet s maximálním napětím 60V a proudem 18A v pouzdru TO263 od výrobce Vishay
Tranzistor IRFB3006PBF od výrobce Infineon Technologies s maximálním napětím 60V a proudem 195A v pouzdru TO220
Tranzistor N-MOSFET s napětím 60V a proudem 160A v pouzdru TO220 od výrobce International Rectifier
Tranzistor N-mosfet s maximálním napětím 100V a proudem 120A v pouzdru TO220 od výrobce Infineon
Nacházíte se na straně 36 z 71.
