Nastavení
Tranzistor P-MOSFET s maximálním napětím 200V a proudem 4A v pouzdru TO220AB od výrobce Vishay
Tranzistor IRF9640PBF od výrobce Vishay s maximálním napětím 200V a proudem 6,8A v pouzdru TO220AB
Tranzistor P-mosfet s maximálním napětím 60V a proudem 18A v pouzdru TO263 od výrobce Vishay
Tranzistor P-MOSFET s napětím 250V, proudem 2,6A a výkonem 35W v pouzdru TO220FP od výrobce Vishay
Tranzistor N-mosfet s maximálním napětím 200V a proudem 20A v pouzdru TO247AC od výrobce Vishay
Tranzistor N-MOSFET s maximálním napětím 400V a proudem 23A v pouzdru TO247AC od výrobce Vishay
Tranzistor P-MOSFET s maximálním napětím 100V a proudem 21A v pouzdru TO247AC od výrobce Infineon Technologies
Tranzistor P-MOSFET s napětím 30V, proudem 29A a výkonem 7,8W v pouzdru SO8 od výrobce Vishay
Tranzistor P-mosfet s maximálním napětím 80V a proudem 50A v pouzdru TO252 od výrobce Vishay
Víceotáčkový cermentový odporový trimr T64Y, stojatá orientace, 23 otáček, vývody do DPS (THT).
Trimer jednootáčkový; cermentový; 100K; 250mW; SMD; 20%.
Infračervený přijímač (IR); úhel 45°; kmitočet 56kHz; THT.
IR přijímač pro bezdrátovou komunikaci / řízení pomocí neviditelného IR záření
Zenerova dioda 18V v pouzdře MiniMELF s max. ztrátovým výkonem 0,5W.
Keramický kondenzátor MLCC SMDKapacita / napětí: 4,7uF / 25VPouzdro: SMD 1206
Metalizovaný rezistor 1WOdpor / Tolerance: 1M0 / ±5% Velikost: 6,8 x 19 mm
Metalizovaný rezistor 1WOdpor / Tolerance: 2M0 / ±5% Velikost: 6,8 x 19 mm
Metalizovaný rezistor 1WOdpor / Tolerance: 5M1 / ±5% Velikost: 6,8 x 19 mm
Hyper-rychlá usměrňovací dioda VS-2EJH02HM3/6B s maximálním napětím 200V a proudem 2A
Ochranný dvousměrný transil s napětím 82V vhodný pro ochranu obvodů
Jednofázový usměrňovací můstek do DPS s maximálním proudem až 1,5A od výrobce Vishay
Barva čočky: Čirá Vlnová délka: 850nm Výkon: 250mW Poudro: PLCC2
Nacházíte se na straně 5 z 7.
