Nastavení
Fotodioda IR 900 nmPlocha čipu: 7,5 mm2Montáž: THT
Usměrňovací dioda v pouzdru SOD-57Max. závěrné napětí: 2000V Max. souvislý proud: 0,25A
Tranzistor N-MOSFET s max. napětím 150V a proudem 3,7A v pouzdru SO8 od výrobce Vishay
Zenerova dioda s napětím 13V a max. výkonem 0,5W v pouzdře DO35
Keramický kondenzátor MLCC SMDKapacita / napětí: 22nF / 50VPouzdro: SMD 1206
Keramický odrušovací kondenzátor THTKapacita / napětí: 4,7nF / 760V (X1)Rozteč vývodů: 10mm
Standardní LED infračervená (IR) v 3mm pouzdru od výrobce Vishay
Schottkyho dioda se závěrným napětím 40V a maximálním proudem 3A v pouzdře SMC.
Zenerova dioda TLZ30B-GS08 s napětím 30V a max. výkonem 0,5W
Usměrňovací dioda 1N5408-E3/54 Max. závěrné napětí: 1000V Max. souvislý proud: 3A
Jednofázový usměrňovací můstek do DPS s maximálním proudem až 1,5A od výrobce Vishay
Dvojitá Schottkyho dioda s maximálním napětím 60V a proudem 15A
Zenerova dioda s napětím 4,3V a max. výkonem 1,3W v pouzdru DO41
Fotoelektrické štěrbinové čidlo se štěrbinou 3,1mm vhodné pro bezpečnostní nebo inkrementální aplikace
Nacházíte se na straně 1 z 7.