Nastavení
Tranzistor s maximálním napětím 45V a proudem 1A v pouzdru SOT89 od výrobce Nexperia
Tranzistor P-MOSFET s maximálním napětím 55V a proudem 31A v pouzdru DPAK od výrobce Infineon
Tranzistor IRFR5305TRPBF od výrobce Infineon s maximálním napětím 55V a proudem 28A v pouzdru DPAK
Unipolární tranzistor N-MOSFET s max. napětím 55V, proudem 98A a výkonem 150W v pouzdru TO220.
Tranzistor IGBT s maximálním napětím 600V a proudem 14A v pouzdru TO220FP od výrobce STMicroelectronics
Tranzistor NPN s maximálním napětím 50V a proudem 150mA v pouzdru TO92 od výrobce Central Semiconductor
Tranzistor germániový v pouzdru TO3 Maximální napětí: 48V Maximální proud: 1,5A
Tranzistor 2SA1020 s maximálním napětím 50V a proudem 2A v pouzdru TO92L od výrobce Luguang Electronic
IGBT tranzistor od výrobce Alpha & Omega Semiconductor s maximálním napětím 650V a proudem 60A v pouzdru TO247-3
Tranzistor IHW15N120R3 (H15R1203) od výrobce Infineon s maximálním napětím 1200V a proudem 30A v pouzdru TO247-3
Tranzistor PNP (Darlington) s napětím 100V, proudem 8A a výkonem 70W v pouzdru TO-220 od výrobce STMicroelectronics
Sada 170 kusů různých bipolárních tranzistorů v pouzdru TO92
Tranzistor PNP s maximálním napětím 50V a proudem 0,15A v pouzdru TO92 od výrobce ON Semiconductor
Tranzistor N-MOSFET s maximálním napětím 900V a proudem 3A v pouzdru TO220FP od výrobce STMicroelectronics
Nacházíte se na straně 2 z 15.
