Nastavení
Nová registraceZapomenuté heslo
Tranzistor 2SC4793 od výrobce Toshiba s maximálním napětím 230V a proudem 1A v pouzdru TO220
Tranzistor darlington NPN s maximálním napětím 30V a proudem 1,5A v pouzdru TO126 od výrobce Toshiba
Tranzistor NPN s maximálním napětím 160V a proudem 1,5A v pouzdru TO126 od výrobce ROHM
Tranzistor N-MOSFET s napětím 180V, proudem 10A a výkonem 120W v pouzdru TO3PN od výrobce Toshiba
Tranzistor N-MOSFET 2SK3567 od výrobce Toshiba s maximálním napětím 600V a proudem 3,5A v pouzdru TO220FP
Tranzistor N-MOSFET s max. napětím 30V a proudem 12,7A v pouzdru SO8 od výrobce Alpha & Omega
Tranzistor N-MOSFET s maximálním napětím 40V a proudem 250A v pouzdru D2PAK od výrobce Infineon
Bipolární tranzistor PNP; Darlington; UCE 30V; IC 1A; 0,625W; pouzdro TO92.
Tranzistor NPN s maximálním napětím 80V a proudem 0,1A v pouzdru SOT23 od výrobce Diotec Semiconductor
Tranzistor NPN s maximálním napětím 65V a proudem 0,1A v pouzdru SOT23 od výrobce Nexperia
Tranzistor NPN Darlington s maximálním napětím 60V a proudem 0,5A v pouzdru SOT23 od výrobce Infineon
Tranzistor BSP125 od výrobce Infineon s maximálním napětím 600V a proudem 0,12A v pouzdru SOT223
Tranzistor N-MOSFET s maximálním napětím 600V a proudem 0,021A v pouzdru SOT23 od výrobce Infineon
Nacházíte se na straně 65 z 127.
