Nastavení
Bipolární tranzistor NPN; UCE 20V; IC 2A; výkon 1,35W; pouzdro SOT223.
Tranzistor BD242C od výrobce ON Semiconductor s maximálním napětím 1200V a proudem 3A v pouzdru TO220
Tranzistor N-JFET BF256B s maximálním napětím 30V a proudem 0,013A v pouzdru TO92 od výrobce ONSEMI.
Tranzistor BSS123 v pouzdru SOT23 s maximálním napětím 100V a proudem 0,17A
Tranzistor N-MOSFET s maximálním napětím 650V a proudem 17,5A v pouzdru TO220FP od výrobce Infineon
Unipolární tranzistor N-MOSFET s max. napětím 55V, proudem 98A a výkonem 150W v pouzdru TO220.
Tranzistor N-MOSFET s napětím 40V, proudem 250A a výkonem 230W v pouzdru TO-220AB od výrobce Infineon
Tranzistor N-mosfet s maximálním napětím 40V a proudem 172A v pouzdru TO220 od výrobce Infineon
Tranzistor N-MOSFET STP4NK60ZFP s maximálním napětím 600V a proudem 4A v pouzdru TO220FP od výrobce STMicroelectronics
Unipolární tranzistor N-MOSFET s max. napětím 60V, proudem 50A a výkonem 110W v pouzdru TO220
Triak s max. napětím 600V a proudem 6A v pouzdru TO220AB
Triak Z0107MN0,135 od výrobce WeEn Semiconductors s maximálním napětím 600V a proudem 1A v pouzdru SOT223
Víceotáčkový cermentový odporový trimrStandard 19mmLežatá orientaceTHT montáž do DPS
Jednootáčkový odporový trimr CA14NV12,5 s ležatou orientací a vývody do DPS (THT)
Páčkový přepínač DPDTZpůsob přepínání: ON - ONZatížitelnost: 3A / 250VAC
Ochranný kryt (gumová čepička) pro páčkové spínače a přepínače řady TSP.
Drátový rezistor 3WOdpor / Tolerance: 500R / ±1%Velikost: 4 x8,9 mm
Nacházíte se na straně 58 z 305.
