Nastavení
Bipolární tranzistor NPN; UCE 20V; IC 2A; výkon 1,35W; pouzdro SOT223.
Tranzistor NPN Darlington s maximálním napětím 60V a proudem 0,5A v pouzdru SOT23 od výrobce Infineon
Tranzistor BD242C od výrobce ON Semiconductor s maximálním napětím 1200V a proudem 3A v pouzdru TO220
Tranzistor BD244CG od výrobce ON Semiconductor s maximálním napětím 100V a proudem 6A v pouzdru TO220AB
Tranzistor BD438 s maximálním napětím 45V a proudem 4A v pouzdru TO126
Tranzistor BD911 od výrobce STMicroelectronics s maximálním napětím 100V a proudem 15A v pouzdru TO220
Tranzistor darlington PNP s maximálním napětím 100V a proudem 10A v pouzdru TO220 od výrobce STMicroelectronics
Tranzistor BSP125 od výrobce Infineon s maximálním napětím 600V a proudem 0,12A v pouzdru SOT223
Tranzistor BSS123 v pouzdru SOT23 s maximálním napětím 100V a proudem 0,17A
Tranzistor N-MOSFET s maximálním napětím 100V a proudem 0,17A v pouzdru SOT23 od výrobce Diodes Incorporated
Tranzistor N-MOSFET s maximálním napětím 600V a proudem 0,021A v pouzdru SOT23 od výrobce Infineon
Tranzistor BSS138 od výrobce Micro Commercial Components (MCC) s maximálním napětím 50V a proudem 0,22A v pouzdru SOT23
Tranzistor BSS138W od výrobce Infineon s maximálním napětím 60V a proudem 0,28A v pouzdru SOT323
Dvojitý tranzistor N-mosfet + P-mosfet s maximálním napětím 12/-12V a proudem 5,6/-3,8A v pouzdru U-DFN2020-6 od výrobce Diodes
Nacházíte se na straně 185 z 308.
