Nastavení
Bipolární tranzistor NPN; UCE 80V; IC 1A; výkon 2W; pouzdro SOT223.
Bipolární tranzistor NPN; UCE 20V; IC 2A; výkon 1,35W; pouzdro SOT223.
Tranzistor NPN Darlington s maximálním napětím 60V a proudem 0,5A v pouzdru SOT23 od výrobce Infineon
Tranzistor s maximálním napětím 60V a proudem 1A v pouzdru SOT89 od výrobce Nexperia
Tranzistor s maximálním napětím 45V a proudem 1A v pouzdru SOT89 od výrobce Nexperia
Tranzistor darlington PNP s maximálním napětím 100V a proudem 10A v pouzdru TO220 od výrobce STMicroelectronics
Tranzistor BF259 od výrobce Continental Device India (CDIL) s maximálním napětím 300V a proudem 0,1A v pouzdru TO39
Tranzistor BSP125 od výrobce Infineon s maximálním napětím 600V a proudem 0,12A v pouzdru SOT223
Tranzistor N-MOSFET s maximálním napětím 100V a proudem 0,17A v pouzdru SOT23 od výrobce Diodes Incorporated
Tranzistor N-MOSFET s maximálním napětím 600V a proudem 0,021A v pouzdru SOT23 od výrobce Infineon
Nacházíte se na straně 183 z 305.
