Nastavení
Tranzistor NPN s maximálním napětím 60V, proudem 2A a vysokým ziskem v pouzdru TO92L
Tranzistor P-MOSFET s napětím 180V, proudem 10A a výkonem 120W v pouzdru TO3PN od výrobce Toshiba
Tranzistor N-MOSFET s napětím 180V, proudem 2A a výkonem 30W v pouzdru TO-220AB od výrobce Hitachi
Tranzistor 3NU74 od výrobce Tesla s maximálním napětím 32V a proudem 15A v pouzdru TO35
IGBT tranzistor od výrobce Alpha & Omega Semiconductor s maximálním napětím 650V a proudem 60A v pouzdru TO247-3
Tranzistor bipolární PNP Uceo/Ic: 45V/0.5A Pd: 300mW Pouzdro: SOT23
Tranzistor bipolární PNP Uceo/Ic: 60V/1A Pd: 1.3W Pouzdro: SOT89
Tranzistor BD438 s maximálním napětím 45V a proudem 4A v pouzdru TO126
Tranzistor BD441 s maximálním napětím 80V a proudem 4A v pouzdru TO126 od výrobce CDIL
Tranzistor BD442 s maximálním napětím 80V a proudem 4A v pouzdru TO126 od výrobce CDIL
Tranzistor BD652 od výrobce Comset Semiconductors s maximálním napětím 120V a proudem 8A v pouzdru TO220
Tranzistor BF245A s maximálním napětím 30V a proudem 0,1A v pouzdru TO92 od výrobce ON Semiconductor
Tranzistor PNP s maximálním napětím 300V a proudem 0,1A v pouzdru TO126
Tranzistor BF545B od výrobce NXP s maximálním napětím 30V a proudem 0,015A v pouzdru SOT23
Nacházíte se na straně 66 z 72.