Nastavení
Tranzistor IGBT s napětím do 600V a proudem do 10A v pouzdru D2PAK
Tranzistor IHW20N120R3 (H20R1203) od výrobce Infineon s maximálním napětím 1200V a proudem 40A v pouzdru TO247
Tranzistor N-mosfet s maximálním napětím 40V a proudem 202A v pouzdru TO220AB od výrobce Thomson
Tranzistor N-MOSFET s napětím 60V a proudem 120A v pouzdru TO220 od výrobce International Rectifier
Unipolární tranzistor N-MOSFET s max. napětím 650V, proudem 13A a výkonem 110W v pouzdru TO220
Tranzistor STP75NF75 od výrobce STMicroelectronics s maximálním napětím 75V a proudem 80A v pouzdru TO220
Dvojitý tranzistor s maximálním napětím 60V a proudem 2x 4,5A v pouzdru SO8 od výrobce Taiwan Semiconductor
Triak BTA08-600TWRG s maximálním napětím 600V a proudem 8A v pouzdru TO220AB
Tyristor X0405MF 1AA2 od výrobce STMicroelectronics s maximálním napětím 600V a proudem 2,5A v pouzdru TO202-3
Tranzistorové pole ULN2004D1013TR s maximálním napětím 50V a proudem 0,5A
Obvod generátoru monolitických funkcí, schopný generovat vysoce kvalitní sinus, aj.
Ochranný transil s napětím 39V vhodný pro ochranu obvodů
Ochranný dvousměrný transil 1.5KE440CA s napětím 440V vhodný pro ochranu obvodů
Zenerova dioda s napětím 6V a max. výkonem 5W v pouzdře 017AA
Nacházíte se na straně 12 z 71.
