Nastavení
Nová registraceZapomenuté heslo
Tranzistor bipolární PNP Uceo/Ic: 60V/3A Pd: 5W Pouzdro: SOT223
BSS131 SMD ; Pouzdro: SOT23 ; Popis: Tranzistor MFET-N, Uds=240V, Id=0.1A, P=0.36W
Tranzistor BU207 s maximálním napětím 600V a proudem 5A v pouzdru TO3
Tranzistor IGBT s maximálním napětím 1200V a proudem 30A v pouzdru TO247.
Tranzistor unipolární N-kanál Uds/Id: 100V/1.5A Pd: 3.1W Pouzdro: SOT223
Tranzistor IGBT s max. napětím 600V a proudem 55A v pouzdru TO247.
Tranzistor unipolární N-kanál Uds/Id: 55V/3.1A Pd: 1W Pouzdro: SOT223
Tranzistor unipolární N-kanál Uds/Id: 20V/4.2A Pd: 1.25W Pouzdro: SOT23
Tranzistor IGBT s maximálním napětím 1200V a proudem 20A v pouzdru TO220 od IXYS
Tranzistor KC509 od výrobce Tesla s maximálním napětím 20V a proudem 0,1A v pouzdru TO18
Tranzistor N-MOSFET dvojhradlový s maximálním napětím 20V a proudem 0,04A v pouzdru TO-50 od výrobce Tesla
Tranzistor NPN Darlington s maximálním napětím 50V a proudem 1A v pouzdru TO92L od výrobce NTE Electronics
Unipolární tranzistor N-MOSFET s max. napětím 650V, proudem 13A a výkonem 110W v pouzdru TO220
Nacházíte se na straně 127 z 133.