Toshiba

Tranzistor 2SC4793 od výrobce Toshiba s maximálním napětím 230V a proudem 1A v pouzdru TO220

Bipolární tranzistor typu PNP
Maximální napětí U_CE: 230V
Maximální proud I_E: 15A

Analogový optočlen TLP620 pro galvanické oddělení signálu v THT pouzdru

Tranzistor darlington NPN s maximálním napětím 30V a proudem 1,5A v pouzdru TO126 od výrobce Toshiba

Tranzistor N-MOSFET s napětím 180V, proudem 10A a výkonem 120W v pouzdru TO3PN od výrobce Toshiba

Tranzistor N-MOSFET 2SK3567 od výrobce Toshiba s maximálním napětím 600V a proudem 3,5A v pouzdru TO220FP

Tranzistor N-MOSFET s napětím 600V, proudem 20A a výkonem 150W v pouzdru TO3PN od výrobce Toshiba

Analogový tranzistorový optočlen pro galvanické oddělení signálů v SMD pouzdru

Analogový optočlen TLP521-1 pro galvanické oddělení signálu v THT pouzdru

Analogový optočlen TLP521-1 pro galvanické oddělení signálu v THT pouzdru

Analogový optočlen TLP627 pro galvanické oddělení signálu v THT pouzdru

Integrovaný H-můstek pro řízení motorů v pouzdře HSOP8

Paměť SRAM s velikostí paměti 131072 x 8 bit v pouzdru DIP32 od výrobce Toshiba

Paměť SRAM; 256 x 8bit CMOS SRAM; DIP40; THT.

Tranzistor PNP s maximálním napětím 230V a proudem 1A v pouzdru TO220

Tranzistor P-MOSFET s napětím 180V, proudem 10A a výkonem 120W v pouzdru TO3PN od výrobce Toshiba

Tranzistor TK8P60W,RVQ od výrobce Toshiba s maximálním napětím 600V a proudem 8A v pouzdru DPAK

Tranzistorové pole ULN2803 s maximálním napětím 50V a proudem 0,5A