Nastavení
Tranzistor BD438 s maximálním napětím 45V a proudem 4A v pouzdru TO126
Tranzistor NPN s maximálním napětím 400V a proudem 8A v pouzdru TO220AB od výrobce STMicroelectronics
Tranzistor N-MOSFET s maximálním napětím 600V a proudem 4A v pouzdru IPAK od výrobce STMicroelectronics
Unipolární tranzistor N-MOSFET s max. napětím 650V, proudem 34A a výkonem 40W v pouzdru TO220FP od výrobce STMicroelectronics
Tranzistor IGBT s maximálním napětím 600V a proudem 23A v pouzdru TO220FP od výrobce STMicroelectronics
Tranzistor IGBT s maximálním napětím 600V a proudem 14A v pouzdru TO220FP od výrobce STMicroelectronics
Unipolární tranzistor N-MOSFET s max. napětím 800V, proudem 14A a výkonem 170W v pouzdru TO220
Unipolární tranzistor N-MOSFET s max. napětím 650V, proudem 13A a výkonem 110W v pouzdru TO220
Tranzistor N-MOSFET s napětím 500V, proudem 17A a výkonem 190W v pouzdru TO-220-3 od výrobce STMicroelectronics
Tranzistor STP34NM60N s maximálním napětím 600V a proudem 31,5A v pouzdru TO220-3 od výrobce STMicroelectronics
Tranzistor N-MOSFET s maximálním napětím 900V a proudem 3A v pouzdru TO220FP od výrobce STMicroelectronics
Tranzistor N-MOSFET STP4NK60ZFP s maximálním napětím 600V a proudem 4A v pouzdru TO220FP od výrobce STMicroelectronics
Unipolární tranzistor N-MOSFET s max. napětím 60V, proudem 50A a výkonem 110W v pouzdru TO220
Nacházíte se na straně 5 z 10.
