Nastavení
Nová registraceZapomenuté heslo
Tranzistor IGBT s max. napětím 600V a proudem 55A v pouzdru TO247.
Tranzistor unipolární N-kanál Uds/Id: 55V/3.1A Pd: 1W Pouzdro: SOT223
Tranzistor IGBT s maximálním napětím 1200V a proudem 20A v pouzdru TO220 od IXYS
Tranzistor KC509 od výrobce Tesla s maximálním napětím 20V a proudem 0,1A v pouzdru TO18
Tranzistor N-MOSFET dvojhradlový s maximálním napětím 20V a proudem 0,04A v pouzdru TO-50 od výrobce Tesla
Tranzistor NPN Darlington s maximálním napětím 50V a proudem 1A v pouzdru TO92L od výrobce NTE Electronics
Unipolární tranzistor N-MOSFET s max. napětím 650V, proudem 13A a výkonem 110W v pouzdru TO220
Tranzistor darlington PNP Uceo/Ic: 60V/5A Pd: 65W Pouzdro: TO220
Tranzistorové pole TCA871 od výrobce Siemens s maximálním napětím 32V a proudem 0,2A v pouzdru DIP14
Triak BTA41-600BRG od výrobce STMicroelectronics s maximálním napětím 600V a proudem 40A v pouzdru TOP3
Jednootáčkový odporový trimr CA9MH2.5 se stojatou orientací a vývody do DPS (THT)
muRata RVG3A08-203VM
Mosazné trysky MK8 pro filament 1,75mm s vnitřním průměrem 0,3 ÷ 0,6mm jsou vhodné pro 3D tiskárny Anet A8, Makerbot nebo klony Prusha i3
Mosazné trysky MK8 pro filament 1,75mm s vnitřním průměrem 0,3 ÷ 0,8mm jsou vhodné pro 3D tiskárny Ender (Creality)
SMD, 100V, 0,15A, 1206
Usměrňovací dioda Urrm: 75V If: 0.15A Pouzdro: 1206
Nacházíte se na straně 122 z 127.
