Nastavení
Nová registraceZapomenuté heslo
Tranzistor 2N1613 od výrobce Central Semiconductor s maximálním napětím 50V a proudem 0,5A v pouzdru TO39
Tranzistor 2N3441 od výrobce Motorola s maximálním napětím 140V a proudem 3A v pouzdru TO66
Tranzistor PNP s maximálním napětím 230V a proudem 1A v pouzdru TO220
Tranzistor N-MOSFET s napětím 180V, proudem 2A a výkonem 30W v pouzdru TO-220AB od výrobce Hitachi
Tranzistor darlington PNP Uceo/Ic: 30V/1A Pd: 625mW Pouzdro: TO92
Tranzistor bipolární PNP Uceo/Ic: 45V/0.5A Pd: 330mW Pouzdro: SOT23
Tranzistor bipolární NPN Uceo/Ic: 45V/0.8A Pd: 310mW Pouzdro: SOT23
Tranzistor bipolární NPN Uceo/Ic: 65V/0.1A Pd: 200mW Pouzdro: SOT323
Tranzistor bipolární NPN Uceo/Ic: 65V/0.1A Pd: 310mW Pouzdro: SOT23
Tranzistor bipolární NPN Uceo/Ic: 65V/0.1A Pd: 250mW Pouzdro: SOT23
Tranzistor bipolární NPN Uceo/Ic: 45V/0.1A Pd: 200mW Pouzdro: SOT323
Tranzistor bipolární NPN Uceo/Ic: 30V/0.1A Pd: 200mW Pouzdro: SOT323
Tranzistor bipolární NPN Uceo/Ic: 30V/0.1A Pd: 330mW Pouzdro: SOT23
Tranzistor bipolární NPN Uceo/Ic: 30V/0.1A Pd: 250mW Pouzdro: SOT23
Nacházíte se na straně 119 z 128.