Nastavení
Nová registraceZapomenuté heslo
Tranzistor N-MOSFET s napětím 180V, proudem 2A a výkonem 30W v pouzdru TO-220AB od výrobce Hitachi
Tranzistor bipolární PNP Uceo/Ic: 60V/1A Pd: 1.3W Pouzdro: SOT89
Tranzistor BD244CG od výrobce ON Semiconductor s maximálním napětím 100V a proudem 6A v pouzdru TO220AB
Tranzistor BD438 s maximálním napětím 45V a proudem 4A v pouzdru TO126
Tranzistor BD441 s maximálním napětím 80V a proudem 4A v pouzdru TO126 od výrobce CDIL
Tranzistor BD442 s maximálním napětím 80V a proudem 4A v pouzdru TO126 od výrobce CDIL
Tranzistor BD652 od výrobce Comset Semiconductors s maximálním napětím 120V a proudem 8A v pouzdru TO220
Tranzistor N-JFET BF256B s maximálním napětím 30V a proudem 0,013A v pouzdru TO92 od výrobce ONSEMI.
Nacházíte se na straně 305 z 314.