Nastavení
Tranzistor NTD24N06LG s maximálním napětím 60V a proudem 24A v pouzdru DPAK
Tranzistor P-mosfet s maximálním napětím 60V a proudem 14A v pouzdru WDFN-8 od výrobce Vishay
Tranzistor N-MOSFET s maximálním napětím 60V a proudem 40A v pouzdru TO252AA od výrobce ShinDegen
Dvojitý tranzistor N-mosfet + P-mosfet s maximálním napětím 20/-20V a proudem 5,3/-4,5A v pouzdru DFN2020-6 od výrobce Nexperia
Tranzistor S9013-H od výrobce Yangzhou Yangjie Electronic Technology s maximálním napětím 25V a proudem 0,5A v pouzdru SOT23
Tranzistor P-MOSFET s napětím 30V, proudem 29A a výkonem 7,8W v pouzdru SO8 od výrobce Vishay
Tranzistor N-MOSFET s max. napětím 150V a proudem 3,7A v pouzdru SO8 od výrobce Vishay
Tranzistor SI9435BDY-E3 od výrobce Vishay s maximálním napětím 30V a proudem 4,1A v pouzdru SO8
Tranzistor N-mosfet s maximálním napětím 100V a proudem 15A v pouzdru DPAK od výrobce Sinopower
Tranzistor N-MOSFET s max. napětím 30V a proudem 50A v pouzdru DFN5X6A od výrobce Sinopower
Tranzistor N-MOSFET s maximálním napětím 600V a proudem 20,7A v pouzdru TO220AB od výrobce Infineon
Tranzistor NPN s maximálním napětím 400V a proudem 8A v pouzdru TO220AB od výrobce STMicroelectronics
Tranzistor N-MOSFET s maximálním napětím 600V a proudem 4A v pouzdru IPAK od výrobce STMicroelectronics
Unipolární tranzistor N-MOSFET s max. napětím 650V, proudem 34A a výkonem 40W v pouzdru TO220FP od výrobce STMicroelectronics
Tranzistor IGBT s maximálním napětím 600V a proudem 23A v pouzdru TO220FP od výrobce STMicroelectronics
Tranzistor IGBT s maximálním napětím 600V a proudem 14A v pouzdru TO220FP od výrobce STMicroelectronics
Unipolární tranzistor N-MOSFET s max. napětím 800V, proudem 14A a výkonem 170W v pouzdru TO220
Unipolární tranzistor N-MOSFET s max. napětím 650V, proudem 13A a výkonem 110W v pouzdru TO220
Nacházíte se na straně 186 z 314.
