Nastavení
Tranzistor N-MOSFET s napětím 30V, proudem 6A a výkonem 1,28W v pouzdru TSOP6 od výrobce Alpha & Omega Semiconductor
Tranzistor P-mosfet s maximálním napětím 30V a proudem 18A v pouzdru TO252 od výrobce Alpha & Omega
Tranzistor N-mosfet s maximálním napětím 500V a proudem 5A v pouzdru TO252 od výrobce Alpha & Omega
IGBT tranzistor od výrobce Alpha & Omega Semiconductor s maximálním napětím 650V a proudem 60A v pouzdru TO247-3
Tranzistor N-MOSFET s maximálním napětím 40V a proudem 250A v pouzdru D2PAK od výrobce Infineon
Bipolární tranzistor PNP; Darlington; UCE 30V; IC 1A; 0,625W; pouzdro TO92.
Tranzistor PNP s maximálním napětím 65V a proudem 0,1A v pouzdru TO92 od výrobce Diotec Semiconductor
Bipolární tranzistor PNP; UCE 45V; IC 100mA; výkon 0,5W; pouzdro TO92.
Tranzistor PNP, 80V, 500mA, 625mW, TO92, THT.
Tranzistor NPN s maximálním napětím 80V a proudem 0,1A v pouzdru SOT23 od výrobce Diotec Semiconductor
Tranzistor NPN s maximálním napětím 65V a proudem 0,1A v pouzdru SOT23 od výrobce Nexperia
Nacházíte se na straně 182 z 314.
