Nastavení
Tranzistor N-MOSFET s maximálním napětím 900V a proudem 3A v pouzdru TO220FP od výrobce STMicroelectronics
Tranzistor N-MOSFET STP4NK60ZFP s maximálním napětím 600V a proudem 4A v pouzdru TO220FP od výrobce STMicroelectronics
Triak BTA16-800CWRG s maximálním napětím 800V a proudem 16A v pouzdru TO220AB
Tyristor BT169D.116 od výrobce WeEn Semiconductors s maximálním napětím 400V a proudem 0,8A v pouzdru TO92
Integrovaný obvod; tranzistorové pole (driver); darlington; 50V; 500mA; 7 kanálů; DIP16; THT.
Usměrňovací dioda BY550 s maximálním napětím 1kV a proudem 5A
Zenerova dioda s napětím 16V a max. výkonem 1,3W v pouzdru DO41
Zenerova dioda s napětím 3,6V a max. výkonem 1,3W v pouzdru DO41
CMOS programovatelný časovač s rozsahem DC÷100kHz
Jednofázový usměrňovací můstekMax. blokovací napětí: 1000VMax. souvislý proud: 35A
Lineární stabilizátor napětí v pouzdru TO220Pevné výstupní napětí: 8VMax. výstupní proud: 1,5A
Lineární stabilizátor napětí s pevným výstupním napětím 3,3V a výstupním proudem až 0,1A v pouzdru TO92
Integrovaný obvod: převodník f/U; 50mA; 1,58W; 0÷28VDC; DIP14; THT.
Integrovaný obvod - operační zesilovač; 10MHz; ±5÷15VDC; 2 kanály; DIP8; THT.
Ochranný transil P6KE200A jednosměrný s napětím 200V vhodný pro ochranu obvodů
Sada 170 kusů různých bipolárních tranzistorů v pouzdru TO92
NF zesilovač 2x0,65W v pouzdře DIP8
Výkonový obvod impulzního zdroje s topologií flyback od výrobce Power Integrations
Triak BT139-800E od výrobce WeEn Semiconductors s maximálním napětím 800V a proudem 16A v pouzdru TO220AB
Nacházíte se na straně 7 z 71.
