Nastavení
Nová registraceZapomenuté heslo
Tranzistor PNP s maximálním napětím 50V a proudem 0,15A v pouzdru TO92 od výrobce ON Semiconductor
Tranzistor N-MOSFET s maximálním napětím 60V a proudem 40A v pouzdru TO252AA od výrobce ShinDegen
Tranzistor STP75NF75 od výrobce STMicroelectronics s maximálním napětím 75V a proudem 80A v pouzdru TO220
Triak ACT102H-600D s maximálním napětím 600V a proudem 0,2A v pouzdru SO8 od výrobce WeEn Semiconductors
PMIC; kontrolér PWM; 1A; 48÷500kHz; Ch: 1; MiniDIP8; 0÷48%
Stabilizátor napětí; nastavitelný; 0,8÷30V; 4A; SO8-EPAD; SMD.
Usměrňovací dioda BA159 s maximálním napětím 1kV
Lineární stabilizátor napětí v pouzdru TO220Pevné výstupní napětí: 8VMax. výstupní proud: 1,5A
Lineární stabilizátor napětí s pevným výstupním napětím 15V a výstupním proudem až 1,5A v pouzdru TO220 s montáží do DPS (THT)
Lineární stabilizátor napětíPevné výstupní napětí: -5VVýstupní proud: až 1,5A
Lineární stabilizátory napětí s pevným výstupním napětím 15V a výstupním proudem až 1A v pouzdru TO220 s montáží do DPS (THT).
Lineární stabilizátory napětí s pevným výstupním napětím 24V a výstupním proudem až 1A v pouzdru TO220 s montáží do DPS (THT).
Integrovaný obvod - operační zesilovač; 10MHz; ±5÷15VDC; 2 kanály; DIP8; THT.
Tyristor; 400V; 0,5A; proud hradla 200uA; pouzdro TO92.
Jednofázový usměrňovací můstek 600V/10A
Schottkyho dioda s max. napětím 200V a proudem až 5A v pouzdře DO201 od výrobce Diotec Semiconductor
Tranzistor PNP, 80V, 500mA, 625mW, TO92, THT.
Tranzistor IGBT s maximálním napětím 600V a proudem 40A v pouzdru TO247.
Tranzistor N-MOSFET s maximálním napětím 55V a proudem 17A v pouzdru IPAK od výrobce Infineon Technologies
Nacházíte se na straně 6 z 71.
