Nastavení
Tranzistor PNP s maximálním napětím 120V a proudem 25A v pouzdru TO3P od výrobce NTE
Tranzistor NPN Darlington s maximálním napětím 50V a proudem 1A v pouzdru TO92L od výrobce NTE Electronics
Tranzistor N-MOSFET STP4NK60ZFP s maximálním napětím 600V a proudem 4A v pouzdru TO220FP od výrobce STMicroelectronics
Tranzistor STW11NK100Z od výrobce STMicroelectronics s maximálním napětím 1000V a proudem 8,3A v pouzdru TO247
Tranzistor TK8P60W,RVQ od výrobce Toshiba s maximálním napětím 600V a proudem 8A v pouzdru DPAK
Tranzistorové pole TCA871 od výrobce Siemens s maximálním napětím 32V a proudem 0,2A v pouzdru DIP14
Triak BT139-800E od výrobce WeEn Semiconductors s maximálním napětím 800V a proudem 16A v pouzdru TO220AB
Rychlost přeběhu: 0.8V/us Počet kanálů: 2 Šířka pásma: 1 MHz Pouzdro: SO8
Rychlost přeběhu: 0.8V/us Počet kanálů: 4 Šířka pásma: 1 MHz Pouzdro: SO14
Tyristor s maximálním napětím 800V a proudem 13A v pouzdru TO220AB od výrobce WeEn Semiconductors
Tyristor S4055M od výrobce Littelfuse s maximálním napětím 400V a proudem 55A v pouzdru TO-218AC
Tyristor TIC116B s maximálním napětím 200V a proudem 8A v pouzdru TO220 (KAG)
Tyristor s maximálním napětím 800V a proudem 25A v pouzdru TO220AB od výrobce STMicroelectronics
Tyristorový modul dvojitý MCC132-12IO1 s maximálním napětím 1 200V a proudem 2x 130A v pouzdru Y4-M6 se šroubovými vývody
Nacházíte se na straně 69 z 71.