Nastavení
Nová registraceZapomenuté heslo
Tranzistor PNP s maximálním napětím 120V a proudem 25A v pouzdru TO3P od výrobce NTE
Tranzistor NPN Darlington s maximálním napětím 50V a proudem 1A v pouzdru TO92L od výrobce NTE Electronics
Tranzistor NPN TO92Max. napětí: 40VMax. proud: 0,6A
Tranzistor N-MOSFET s maximálním napětím 600V a proudem 20,7A v pouzdru TO220AB od výrobce Infineon
Unipolární tranzistor N-MOSFET s max. napětím 650V, proudem 13A a výkonem 110W v pouzdru TO220
Unipolární tranzistor N-MOSFET s max. napětím 60V, proudem 50A a výkonem 110W v pouzdru TO220
Tranzistor STW11NK100Z od výrobce STMicroelectronics s maximálním napětím 1000V a proudem 8,3A v pouzdru TO247
Tranzistor TK8P60W,RVQ od výrobce Toshiba s maximálním napětím 600V a proudem 8A v pouzdru DPAK
Tranzistorové pole TCA871 od výrobce Siemens s maximálním napětím 32V a proudem 0,2A v pouzdru DIP14
Triak BTA16-800CWRG s maximálním napětím 800V a proudem 16A v pouzdru TO220AB
Triak BTA41-600BRG od výrobce STMicroelectronics s maximálním napětím 600V a proudem 40A v pouzdru TOP3
Rychlost přeběhu: 0.8V/us Počet kanálů: 2 Šířka pásma: 1 MHz Pouzdro: SO8
Rychlost přeběhu: 0.8V/us Počet kanálů: 4 Šířka pásma: 1 MHz Pouzdro: SO14
Transceiver M-Bus pro slave zařízeníRychlost: až 9600 BaudPouzdro: SO16
Tyristor s maximálním napětím 800V a proudem 16A v pouzdru TO220AB od výrobce WeEn Semiconductors
Tyristor s maximálním napětím 800V a proudem 13A v pouzdru TO220AB od výrobce WeEn Semiconductors
Nacházíte se na straně 69 z 71.