Nastavení
Nová registraceZapomenuté heslo
Ochranný dvousměrný transil s napětím 48V vhodný pro ochranu obvodů
Ochranný dvousměrný transil TGL41-13CA s napětím 13V vhodný pro ochranu obvodů
Tranzistor NPN s maximálním napětím 160V a proudem 16A v pouzdru TO3 od výrobce ONSEMI
Tranzistor 2N5088 od výrobce Central Semiconductor s maximálním napětím 30V a proudem 0,05A v pouzdru TO92
Tranzistor PNP s maximálním napětím 60V a proudem 5A v pouzdru TO220
Tranzistor PNP s maximálním napětím 120V a proudem 1,5A v pouzdru TO126 od výrobce InChange
Tranzistor NPN s maximálním napětím 50V a proudem 150mA v pouzdru TO92 od výrobce Central Semiconductor
Tranzistor NPN s maximálním napětím 50V a proudem 0,15A v pouzdru SC59 od výrobce Rohm
Tranzistor NPN s maximálním napětím 200V a proudem 0,1A v pouzdru TO92 od výrobce Sanyo
Tranzistor 2SC4793 od výrobce Toshiba s maximálním napětím 230V a proudem 1A v pouzdru TO220
Tranzistor darlington NPN s maximálním napětím 30V a proudem 1,5A v pouzdru TO126 od výrobce Toshiba
Tranzistor NPN s maximálním napětím 160V a proudem 1,5A v pouzdru TO126 od výrobce ROHM
Tranzistor N-MOSFET s napětím 180V, proudem 10A a výkonem 120W v pouzdru TO3PN od výrobce Toshiba
Tranzistor N-MOSFET 2SK3567 od výrobce Toshiba s maximálním napětím 600V a proudem 3,5A v pouzdru TO220FP
Tranzistor N-MOSFET s max. napětím 30V a proudem 12,7A v pouzdru SO8 od výrobce Alpha & Omega
Tranzistor P-mosfet s maximálním napětím 30V a proudem 18A v pouzdru TO252 od výrobce Alpha & Omega
Tranzistor N-mosfet s maximálním napětím 500V a proudem 5A v pouzdru TO252 od výrobce Alpha & Omega
IGBT tranzistor od výrobce Alpha & Omega Semiconductor s maximálním napětím 650V a proudem 60A v pouzdru TO247-3
Tranzistor N-MOSFET s maximálním napětím 40V a proudem 250A v pouzdru D2PAK od výrobce Infineon
Bipolární tranzistor PNP; Darlington; UCE 30V; IC 1A; 0,625W; pouzdro TO92.
Nacházíte se na straně 32 z 71.
