Nastavení
Tranzistor darlington PNP s maximálním napětím 100V a proudem 10A v pouzdru TO220 od výrobce STMicroelectronics
Tranzistor IRFB3006PBF od výrobce Infineon Technologies s maximálním napětím 60V a proudem 195A v pouzdru TO220
Tranzistor N-mosfet s maximálním napětím 100V a proudem 120A v pouzdru TO220 od výrobce Infineon
Tranzistor N-MOSFET s napětím 40V, proudem 250A a výkonem 230W v pouzdru TO-220AB od výrobce Infineon
Tranzistor N-MOSFET s maximálním napětím 55V a proudem 17A v pouzdru IPAK od výrobce Infineon Technologies
Tranzistor N-MOSFET s napětím 55V, proudem 80A a výkonem 300W v pouzdru TO-220-3 od výrobce STMicroelectronics
Triak s maximálním napětím 600V a proudem 16A v pouzdru TO220AB od výrobce STMicroelectronics
Triak s max. napětím 600V a proudem 6A v pouzdru TO220AB
Ochranný transil s napětím 39V vhodný pro ochranu obvodů
Ochranný dvousměrný transil 1.5KE440CA s napětím 440V vhodný pro ochranu obvodů
Zenerova dioda s napětím 3,3V a max. výkonem 5W v pouzdře 017AA
Nacházíte se na straně 11 z 71.