Nastavení
Tranzistor darlington PNP s maximálním napětím 100V a proudem 10A v pouzdru TO220 od výrobce STMicroelectronics
Tranzistor N-JFET BF256B s maximálním napětím 30V a proudem 0,013A v pouzdru TO92 od výrobce ONSEMI.
Tranzistor N-mosfet s maximálním napětím 100V a proudem 120A v pouzdru TO220 od výrobce Infineon
Tranzistor N-MOSFET s napětím 40V, proudem 250A a výkonem 230W v pouzdru TO-220AB od výrobce Infineon
Tranzistor N-MOSFET s napětím 55V, proudem 80A a výkonem 300W v pouzdru TO-220-3 od výrobce STMicroelectronics
Triak s max. napětím 600V a proudem 6A v pouzdru TO220AB
Ochranný transil s napětím 39V vhodný pro ochranu obvodů
Ochranný dvousměrný transil 1.5KE440CA s napětím 440V vhodný pro ochranu obvodů
Zenerova dioda s napětím 3,3V a max. výkonem 5W v pouzdře 017AA
Zenerova dioda s napětím 6V a max. výkonem 5W v pouzdře 017AA
Nacházíte se na straně 11 z 71.