Akce a výprodej, Strana 70

Tranzistor N-MOSFET s maximálním napětím 300V a proudem 70A v pouzdru TO247AC od výrobce Infineon Technologies

Tranzistor P-MOSFET s maximálním napětím 100V a proudem 21A v pouzdru TO247AC od výrobce Infineon Technologies

Tranzistor IRFR5305TRPBF od výrobce Infineon s maximálním napětím 55V a proudem 28A v pouzdru DPAK

Tranzistor N-MOSFET s maximálním napětím 60V a proudem 295A v pouzdru D2PAK od výrobce Infineon

Tranzistor IGBT s maximálním napětím 1200V a proudem 80A v pouzdru Super-247

Tranzistor N-MOSFET s maximálním napětím 55V a proudem 28A v pouzdru DPAK od výrobce Infineon

Tranzistor N-MOSFET s maximálním napětím 55V a proudem 17A v pouzdru IPAK od výrobce Infineon Technologies

Tranzistor N-MOSFET s max. napětím 150V a proudem 110A v pouzdru D2PAK od výrobce IXYS

Tranzistor IXFX100N65X2 od výrobce IXYS s maximálním napětím 650V a proudem 100A v pouzdru TO247PLUS

Tranzistor KSP2222ABU s maximálním napětím 40V a proudem 0,6A v pouzdru TO92 od výrobce ON Semiconductor

Bipolární tranzistor PNP; U_CE 120V; I_C 30A; výkon 200W; pouzdro TO3.

Tranzistor NTD24N06LG s maximálním napětím 60V a proudem 24A v pouzdru DPAK

Tranzistor P-mosfet s maximálním napětím 60V a proudem 14A v pouzdru WDFN-8 od výrobce Vishay

Tranzistor S9013-H od výrobce Yangzhou Yangjie Electronic Technology s maximálním napětím 25V a proudem 0,5A v pouzdru SOT23

Tranzistor P-MOSFET s napětím 30V, proudem 29A a výkonem 7,8W v pouzdru SO8 od výrobce Vishay

Tranzistor N-MOSFET s max. napětím 150V a proudem 3,7A v pouzdru SO8 od výrobce Vishay

Tranzistor SI9435BDY-E3 od výrobce Vishay s maximálním napětím 30V a proudem 4,1A v pouzdru SO8

Tranzistor N-mosfet s maximálním napětím 100V a proudem 15A v pouzdru DPAK od výrobce Sinopower