Nastavení
Integrovaný obvod IXYS IX4340UE pro řízení dvou low-side N-MOSFET s max. proudem 5A
Dvojitý low side N-MOSFET driver s max. napětím 35V od výrobce IXYS
Tranzistor N-MOSFET s max. napětím 150V a proudem 110A v pouzdru D2PAK od výrobce IXYS
Tranzistor N-mosfet s maximálním napětím 100V a proudem 130A v pouzdru TO220-3 od výrobce IXYS
Tranzistor IXFX100N65X2 od výrobce IXYS s maximálním napětím 650V a proudem 100A v pouzdru TO247PLUS
Tranzistor IXGR40N60C2D1 s maximálním napětím 600V a proudem 75A v pouzdru TO247 PLUS
Usměrňovací dvojitá dioda DSEC60-12A s maximálním napětím 1200V
Dvojitá schottkyho dioda DSSK40-006B s maximálním napětím 60V a proudem 2x 20A
Integrovaný obvod IXYS IX2113B pro řízení H/2 můstku (high a low side N-MOSFET) s max. napětím 600V
Tranzistor IGBT s maximálním napětím 1200V a proudem 20A v pouzdru TO220 od IXYS
Tranzistor N-MOSFET s napětím 500V, proudem 20A a výkonem 380W v pouzdru TO3PN od výrobce IXYS
Tyristorový modul dvojitý MCC132-12IO1 s maximálním napětím 1 200V a proudem 2x 130A v pouzdru Y4-M6 se šroubovými vývody
