Nastavení
Technologie: JFET Počet kanálů: 2 Šířka pásma: 2 MHz Pouzdro: DIP8
Technologie: JFET Počet kanálů: 2 Šířka pásma: 10 MHz Pouzdro: SO8
Technologie: JFET Počet kanálů: 4 Šířka pásma: 10 MHz Pouzdro: SO8
Technologie: JFET Počet kanálů: 4 Šířka pásma: 10 MHz Pouzdro: SOL16
Technologie: CMOS Počet kanálů: 4 Šířka pásma: 3 MHz Pouzdro: SO8
Operační zesilovač 2xCMOS 3MHz SO8
Operační zesilovač 4xCMOS 3MHz SO14
Technologie: CMOS Počet kanálů: 4 Šířka pásma: 3 MHz Pouzdro: DIP14
Toroidní (prstencová) tlumivka Indukčnost: 100uH Proud: 0.5A
Toroidní (prstencová) tlumivka Indukčnost: 100uH Proud: 1A
Toroidní (prstencová) tlumivka Indukčnost: 220uH Proud: 1A
Toroidní (prstencová) tlumivka Indukčnost: 32uH Proud: 2A
Toroidní (prstencová) tlumivka Indukčnost: 330uH Proud: 0.5A
Tranzistor darlington PNP Uceo/Ic: 30V/1A Pd: 625mW Pouzdro: TO92
Tranzistor bipolární PNP Uceo/Ic: 45V/0.5A Pd: 330mW Pouzdro: SOT23
Tranzistor bipolární PNP Uceo/Ic: 45V/0.5A Pd: 300mW Pouzdro: SOT23
Tranzistor bipolární NPN Uceo/Ic: 45V/0.8A Pd: 310mW Pouzdro: SOT23
Tranzistor bipolární NPN Uceo/Ic: 65V/0.1A Pd: 200mW Pouzdro: SOT323
Tranzistor bipolární NPN Uceo/Ic: 65V/0.1A Pd: 310mW Pouzdro: SOT23
Tranzistor bipolární NPN Uceo/Ic: 65V/0.1A Pd: 250mW Pouzdro: SOT23
Tranzistor bipolární NPN Uceo/Ic: 45V/0.1A Pd: 200mW Pouzdro: SOT323
Tranzistor bipolární NPN Uceo/Ic: 30V/0.1A Pd: 200mW Pouzdro: SOT323
Tranzistor bipolární NPN Uceo/Ic: 30V/0.1A Pd: 330mW Pouzdro: SOT23
Nacházíte se na straně 40 z 48.
