Infineon IR2011SPBF high a low side N-MOSFET driver s max. napětím 200V
High a low side N-MOSFET driver s max. napětím 600V a proudem 0,42A
Intagrovaný polomůstek pro high-/low-side switch s max. napětím 600V
Dvojitý low side N-MOSFET driver s max. napětím 35V od výrobce IXYS
Infineon IR2102SPBF high a low side driver
Dvojitý driver DS8922AN pro zajištění komunikace pomocí standardu RS-422
IXYS IX2113G high a low side N-MOSFET driver s max. napětím 600V
Infineon IR2101STRPBF high a low side driver
Integrovaný obvod IXYS IX2113B pro řízení H/2 můstku (high a low side N-MOSFET) s max. napětím 600V
Integrovaný obvod IXYS IX4340UE pro řízení dvou low-side N-MOSFET s max. proudem 5A
Infineon IR2011PBF high a low side N-MOSFET driver s max. napětím 200V
Infineon IR2106PBF high a low side N-MOSFET driver s max. napětím 600V
Driver; budič MOSFET; 1,2A; 2 kanály; neinvertující; DIP8; THT.
Nastavení