Nastavení
Tranzistor N-mosfet s maximálním napětím 60V a proudem 0,5A v pouzdru TO92 od výrobce ON Semiconductor
Schottkyho dioda s max. napětím 200V a proudem až 5A v pouzdře DO201 od výrobce Diotec Semiconductor
Jednofázový usměrňovací můstekBlokovací napětí: max. 1000 V (1 kV)Souvislý proud: max. 1,5 A
Napěťová reference v pouzdru SOT23Nastavitelné napětí: 2,495÷36VMax. proud: 100mA
Tranzistor s maximálním napětím 60V a proudem 1A v pouzdru SOT89 od výrobce Nexperia
Tranzistor s maximálním napětím 45V a proudem 1A v pouzdru SOT89 od výrobce Nexperia
Tyristor BT169D.116 od výrobce WeEn Semiconductors s maximálním napětím 400V a proudem 0,8A v pouzdru TO92
Operační zesilovač; 1MHz; 5÷15VDC; 1 kanál; DIP8; THT.
Kompletní izolační souprava pro pouzdro TO220 vhodná pro elektrickou izolaci tranzistorů nebo stabilizátorů
Tranzistor P-MOSFET s maximálním napětím 55V a proudem 31A v pouzdru DPAK od výrobce Infineon
Unipolární tranzistor N-MOSFET s max. napětím 55V, proudem 98A a výkonem 150W v pouzdru TO220.
Tranzistor IGBT s maximálním napětím 600V a proudem 14A v pouzdru TO220FP od výrobce STMicroelectronics
Tranzistor NPN s maximálním napětím 50V a proudem 150mA v pouzdru TO92 od výrobce Central Semiconductor
Usměrňovací dioda SchottkyMax. závěrné napětí: 40V Max. souvislý proud: 1A
Jednofázový usměrňovací můstek 1kV na DPS s maximálním proudem až 1A
Nacházíte se na straně 3 z 71.
