Nastavení
Tranzistor N-MOSFET s maximálním napětím 400V a proudem 23A v pouzdru TO247AC od výrobce Vishay
Tranzistor IRFR5305TRPBF od výrobce Infineon s maximálním napětím 55V a proudem 28A v pouzdru DPAK
Tranzistor N-MOSFET s maximálním napětím 55V a proudem 64A v pouzdru TO220AB od výrobce Infineon
Tranzistor N-MOSFET s maximálním napětím 55V a proudem 43A v pouzdru D-PAK
Tranzistor STP34NM60N s maximálním napětím 600V a proudem 31,5A v pouzdru TO220-3 od výrobce STMicroelectronics
Tranzistor N-MOSFET STP4NK60ZFP s maximálním napětím 600V a proudem 4A v pouzdru TO220FP od výrobce STMicroelectronics
Tranzistor STP75NF75 od výrobce STMicroelectronics s maximálním napětím 75V a proudem 80A v pouzdru TO220
Triak s maximálním napětím 600V a proudem 16A v pouzdru TO220AB od výrobce STMicroelectronics
Triak BTA16-600BRG s maximálním napětím 600V a proudem 16A v pouzdru TO220AB
Triak MAC97A6,412 od výrobce WeEn Semiconductors s max. napětím 400V a proudem 0,6A v pouzdru TO92
PMIC; kontrolér PWM; 1A; 48÷500kHz; Ch: 1; MiniDIP8; 0÷48%
Zenerova dioda s napětím 6V a max. výkonem 5W v pouzdře 017AA
4x 2-vstupové hradlo XOR řady HC v pouzdru SO14 od výrobce Texas Instruments
Číslicový integrovaný obvod 1z8 dekodér/demultiplexor, pouzdro DIP16.
Dvojitá Schottkyho dioda STPS40H100CW s maximálním napětím 100V
Nacházíte se na straně 10 z 71.