Tranzistory

Tranzistor IGBT s maximálním napětím 1000V a proudem 60A v pouzdru TO264 od výrobce ON Semiconductor

Tranzistor IHW15N120R3 (H15R1203) od výrobce Infineon s maximálním napětím 1200V a proudem 30A v pouzdru TO247-3

Tranzistor BF245A s maximálním napětím 30V a proudem 0,1A v pouzdru TO92 od výrobce ON Semiconductor

Tranzistor NPN s maximálním napětím 80V a proudem 10A v pouzdru TO3 od výrobce Tesla

Sada 100 kusů různých bipolárních tranzistorů v pouzdru TO92 a TO126

Tranzistor IHW20N120R3 (H20R1203) od výrobce Infineon s maximálním napětím 1200V a proudem 40A v pouzdru TO247

Sada 300 kusů různých bipolárních tranzistorů v pouzdru TO92

Tranzistor IGBT s napětím do 600V a proudem do 60A v pouzdru TO247.

Tranzistor KC149 od výrobce Tesla s maximálním napětím 20V a proudem 0,1A v pouzdru K401

Tranzistor IGBT s napětím do 1200V a proudem do 25A v pouzdru TO3P.

Tranzistor KF508 od výrobce Tesla s maximálním napětím 32V a proudem 0,5A v pouzdru TO39

Tranzistor IGBT IKW15N120H3 s maximálním napětím 600V a proudem 40A v pouzdru TO247-3 od výrobce Infineon

Tranzistor N-MOSFET s napětím 180V, proudem 10A a výkonem 120W v pouzdru TO3PN od výrobce Toshiba

Tranzistor N-MOSFET s maximálním napětím 40V a proudem 250A v pouzdru D2PAK od výrobce Infineon

Unipolární tranzistor N-MOSFET s max. napětím 55V, proudem 98A a výkonem 150W v pouzdru TO220.

Tranzistor KC147 od výrobce Tesla s maximálním napětím 45V a proudem 0,1A v pouzdru T28

Tranzistor NPN s maximálním napětím 200V a proudem 0,1A v pouzdru TO92 od výrobce Sanyo