Tranzistor IRG4BC20FDPBF
Kód: 101040109Detailní popis produktu
Infineon Technologies IRG4BC20FDPBF
Tranzistor IGBT (napětím řízený bipolární tranzistor); bipolární; max. napětí Kolektor-Emitor 600V; max. napětí Gate-Emitor ±20V; max. proud Kolektoru 16A; max. ztrátový výkon 60W; pouzdro TO220; THT montáž do DPS; pracovní teplota -55÷150°C.
Výhody
- Rychlá paralelní dioda s nízkým úbytkem napětí
- Nízké EMI
- Vhodné pro rychlé aplikace do 20kHz
Buďte první, kdo napíše příspěvek k této položce.
Pouze registrovaní uživatelé mohou vkládat články. Prosím přihlaste se nebo registrujte.