Tranzistor 2SJ200 TO3PN

Kód: 101040570
Značka: Toshiba
249 Kč / ks 205,80 Kč bez DPH
Na dotaz
Možnosti doručení
Položka byla vyprodána…

Tranzistor P-MOSFET s napětím 180V, proudem 10A a výkonem 120W v pouzdru TO3PN od výrobce Toshiba

Detailní informace

Detailní popis produktu

Toshiba 2SJ200

Tranzistor P-MOSFET; unipolární; max. napětí Drain-Source 180V; max. napětí Gate-Source ±20V; max. proud Drainu 10A; max. ztrátový výkon 120W; pouzdro TO3PN; THT montáž do DPS; pracovní teplota -55÷150°C.

Tranzistor vhodný pro speciální koncové stupně.

Tranzistor komplementární s 2SK1529.

Doplňkové parametry

Kategorie: Unipolární tranzistory P-kanál
Pracovní napětí (V): 180
Pracovní proud (A): 10
Výkon (W): 120
Pouzdro: TO3PN
Montáž: THT
max. napětí Gate (V): ±20
Položka byla vyprodána…

Buďte první, kdo napíše příspěvek k této položce.

Pouze registrovaní uživatelé mohou vkládat články. Prosím přihlaste se nebo registrujte.

Nevyplňujte toto pole: